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【简答题】
职业道德修养,是广大从业人员()、()、()的客观尺度和必经之路。
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举一反三
【简答题】读下面的文字、完成文后练习题(40分) 正像达尔文发现有机界的发展规律一样,马克思发现了人类历史的发展规律,即历来为纷繁芜杂的意识形态所掩盖着的一个简单事实:人们首先必须吃、喝、住、穿,然后才能从事政治、科学、艺术、宗教等等;所以,直接的物质的生产资料的生产,从而一个民族或一个时代的一定的经济发展阶段,便构成基础,人们的国家制度、法的观点、艺术以至宗教观念,就是从这个基础上发展起来的,因而,也必须...
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【单选题】在分光光度法中,采用的定性指标是
A.
最大吸收波长和吸光系数
B.
摩尔吸光系数和吸光度值
C.
吸光系数和摩尔吸光系数
D.
吸收曲线和最大吸收波长
E.
最大吸收波长和摩尔吸光系数
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【判断题】在吸光光度法中,摩尔吸光系数的值随入射光波长的增加而减小。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列有关吸光光度法中摩尔吸光系数的说法不正确的是
A.
摩尔吸光系数与吸光光度法的灵敏度有关
B.
溶液的浓度越大,摩尔吸光系数也越大
C.
测定的温度改变时,摩尔吸光系数也改变
D.
摩尔吸光系数随着入射光波长的变化而变化
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【单选题】半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别于.
A.
ROM是内存储器,RAM是外存储器
B.
ROM断电后,信息会丢失,RAM则不会
C.
RAM是内存储器,ROM是外存储器
D.
ROM可以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
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【单选题】半导体只读存储器(ROM与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别在于
A.
ROM可以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
B.
RAM是内存储器,ROM是外存储器
C.
ROM断电后,信息会丢失,RAM则不会
D.
ROM是内存储器,RAM是外存储器
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【单选题】下列哪一项符合慢性肺源性心脏病?( )
A.
支气管肺炎—代偿性肺气肿—慢性肺心病
B.
慢性支气管炎—阻塞性肺气肿—慢性肺心病
C.
间质性肺炎—间质性肺气肿—慢性肺心病
D.
大叶性肺炎—肺肉质变—慢性肺心病
E.
肺癌阻塞、压迫支气管—肺气肿—隆性肺心病
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【单选题】下列哪一项符合慢性肺源性心脏病的演进( )
A.
支气管肺炎→代偿性肺气肿→慢性肺心病
B.
慢性支气管炎→阻塞性肺气肿→慢性肺心病
C.
间质性肺炎→间质性肺气肿→慢性肺心病
D.
大叶性肺炎→肺肉质变→慢性肺心病
E.
肺癌阻塞、压迫支气管→肺气肿→慢性肺心病
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【多选题】十 ITS6 、 智能运输系统的特点 ( )
A.
运用高新信息技术
B.
交通运输信息共享
C.
定时、准确、高效的综合运输
D.
新兴产业
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【单选题】改善药物的溶出速度的方法不包括
A.
通过粉碎减小粒径
B.
加强搅拌
C.
提高温度
D.
改变晶型
E.
制成低共熔物
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【单选题】在分光光度法中,采用的定性指标是
A.
最大吸收波长和吸光系数
B.
摩尔吸光系数和吸光度值
C.
吸光系数和摩尔吸光系数
D.
吸收曲线和最大吸收波长
E.
最大吸收波长和摩尔吸光系数
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A.
正确
B.
错误
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A.
摩尔吸光系数与吸光光度法的灵敏度有关
B.
溶液的浓度越大,摩尔吸光系数也越大
C.
测定的温度改变时,摩尔吸光系数也改变
D.
摩尔吸光系数随着入射光波长的变化而变化
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【单选题】半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别于.
A.
ROM是内存储器,RAM是外存储器
B.
ROM断电后,信息会丢失,RAM则不会
C.
RAM是内存储器,ROM是外存储器
D.
ROM可以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
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【单选题】半导体只读存储器(ROM与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别在于
A.
ROM可以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
B.
RAM是内存储器,ROM是外存储器
C.
ROM断电后,信息会丢失,RAM则不会
D.
ROM是内存储器,RAM是外存储器
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【单选题】下列哪一项符合慢性肺源性心脏病?( )
A.
支气管肺炎—代偿性肺气肿—慢性肺心病
B.
慢性支气管炎—阻塞性肺气肿—慢性肺心病
C.
间质性肺炎—间质性肺气肿—慢性肺心病
D.
大叶性肺炎—肺肉质变—慢性肺心病
E.
肺癌阻塞、压迫支气管—肺气肿—隆性肺心病
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【单选题】下列哪一项符合慢性肺源性心脏病的演进( )
A.
支气管肺炎→代偿性肺气肿→慢性肺心病
B.
慢性支气管炎→阻塞性肺气肿→慢性肺心病
C.
间质性肺炎→间质性肺气肿→慢性肺心病
D.
大叶性肺炎→肺肉质变→慢性肺心病
E.
肺癌阻塞、压迫支气管→肺气肿→慢性肺心病
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A.
运用高新信息技术
B.
交通运输信息共享
C.
定时、准确、高效的综合运输
D.
新兴产业
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【单选题】改善药物的溶出速度的方法不包括
A.
通过粉碎减小粒径
B.
加强搅拌
C.
提高温度
D.
改变晶型
E.
制成低共熔物
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