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【判断题】
实践表明，单一法人客户的各项周转率越高，盈利能力和偿债能力必然就越好。 （ ）
A.
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B.
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参考答案：
举一反三
【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是 ( )
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下，______叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】M0S型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的芯片组成。
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【单选题】绘制纵断面图( )横纵轴比例不同。
A.
可以
B.
不可以
C.
有时候可以有时候不可以
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，( )叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是( )。
A.
T9A
B.
20
C.
Q460E
D.
40Cr
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，叙述错误的是______。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】在下列牌号中属于 碳素 工具钢的 是 ( )。
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
D.
Q235
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时，4个I/O口中用作地址总线的是（）。
A.
P0口和P2
B.
P0口
C.
P1口和P3口
D.
P2口
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是( )。
A.
P0和P2
B.
P0
C.
P1和P3
D.
P2
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相关题目：
【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是 ( )
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下，______叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】M0S型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的芯片组成。
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【单选题】绘制纵断面图( )横纵轴比例不同。
A.
可以
B.
不可以
C.
有时候可以有时候不可以
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，( )叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是( )。
A.
T9A
B.
20
C.
Q460E
D.
40Cr
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，叙述错误的是______。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】在下列牌号中属于 碳素 工具钢的 是 ( )。
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
D.
Q235
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时，4个I/O口中用作地址总线的是（）。
A.
P0口和P2
B.
P0口
C.
P1口和P3口
D.
P2口
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是( )。
A.
P0和P2
B.
P0
C.
P1和P3
D.
P2
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知识点：
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