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【简答题】
"程序功能是计算:s=1+1/2+1/3+...+1/10, 但程序输出结果错误,导致错误结果的是_____。 #include void main() { int n; float s; s=0.0; for(n=1;n<=10;n++) s=s+1/n; printf(""s=%f\n"",s); }" A. s=0.0; B. for(n=1;n<=10;n++) C. s=s+1/n; D. printf("s=%f\n",s);
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参考答案:
举一反三
【单选题】把3mol A和2.5mo1 B混合于2L密闭容器中,发生反应的化学方程式为3A(g)+B(g) xC(g)+2D(g),5min后反应达到平衡,容器内压强变小,已知D的平均反应速率为 0.1mol/(L·min),下列结论错误的是
A.
A的平均反应速率为0.15 mo1/(L·min)
B.
平衡时,C的浓度为0.125 mol/L
C.
平衡时,B的转化率为20%
D.
平衡时,容器的压强为原来的10/11
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【简答题】(1)自来水消毒过程中通常会发生如下化学反应,其反应的微观过程可用如图 表示:请写出甲图所示反应的化学方程式______. 乙图所示反应的基本类型为______. (2)已知物质的相对分子质量越小,其分子运动速率越快.如图所示玻璃管两端甲、乙处分别同时放蘸有浓盐酸和浓氨水的棉花,氨分子(NH 3 )和浓盐酸中的氯化氢分子接触时会产生大量白烟,则白烟较多处应该是图中______处(选填“A”或“B”...
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【单选题】AT89S51单片机的VSS(20)引脚是 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
访问片外存贮器
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【单选题】AT89S51单片机的Vss(20)引脚是 【 】 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
访问片外存贮器
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【单选题】酿造醋中质量最佳的是()
A.
果醋
B.
麸醋
C.
酒醋
D.
米醋
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【单选题】AT89s51单片机的VSS(20)引脚是( ) 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
访问片外存贮器
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【单选题】酿造的醋中,质量最佳的是( )。
A.
果醋
B.
麸醋
C.
酒醋
D.
米醋
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【单选题】老年人预防阿尔茨海默病 的主要措施不包括
A.
老太太可适当干些活动手指的针线活
B.
每天适当与同龄人一起参加下棋、打麻将等娱乐活动
C.
多吃清淡易消化、富含蛋白质、纤维素、维生素和花生核桃等亚油酸含量较高的食物
D.
坚持每天参加一定量的剧烈运动
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【判断题】AT89S51单片机的VSS引脚电源是接主电源+5v引脚。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】一个 4K ╳ 4 位的动态 RAM 芯片,若内部结构排列形式为 256 ╳ ,且存储周期为 0.5 μ s ,设单元刷新间隔不超过 2ms ,则: ( 1 )若采用异步刷新的方式,刷新信号的周期应取 ______ ; ( 2 )若采用集中式刷新,则对该存储芯片刷新一遍所需要的时间是 ______ ,死时间率是 ______ 。
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A.
A的平均反应速率为0.15 mo1/(L·min)
B.
平衡时,C的浓度为0.125 mol/L
C.
平衡时,B的转化率为20%
D.
平衡时,容器的压强为原来的10/11
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【简答题】(1)自来水消毒过程中通常会发生如下化学反应,其反应的微观过程可用如图 表示:请写出甲图所示反应的化学方程式______. 乙图所示反应的基本类型为______. (2)已知物质的相对分子质量越小,其分子运动速率越快.如图所示玻璃管两端甲、乙处分别同时放蘸有浓盐酸和浓氨水的棉花,氨分子(NH 3 )和浓盐酸中的氯化氢分子接触时会产生大量白烟,则白烟较多处应该是图中______处(选填“A”或“B”...
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【单选题】AT89S51单片机的VSS(20)引脚是 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
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【单选题】AT89S51单片机的Vss(20)引脚是 【 】 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
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【单选题】酿造醋中质量最佳的是()
A.
果醋
B.
麸醋
C.
酒醋
D.
米醋
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【单选题】AT89s51单片机的VSS(20)引脚是( ) 引脚。
A.
主电源+5V
B.
接地
C.
备用电源
D.
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【单选题】酿造的醋中,质量最佳的是( )。
A.
果醋
B.
麸醋
C.
酒醋
D.
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【单选题】老年人预防阿尔茨海默病 的主要措施不包括
A.
老太太可适当干些活动手指的针线活
B.
每天适当与同龄人一起参加下棋、打麻将等娱乐活动
C.
多吃清淡易消化、富含蛋白质、纤维素、维生素和花生核桃等亚油酸含量较高的食物
D.
坚持每天参加一定量的剧烈运动
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【判断题】AT89S51单片机的VSS引脚电源是接主电源+5v引脚。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】一个 4K ╳ 4 位的动态 RAM 芯片,若内部结构排列形式为 256 ╳ ,且存储周期为 0.5 μ s ,设单元刷新间隔不超过 2ms ,则: ( 1 )若采用异步刷新的方式,刷新信号的周期应取 ______ ; ( 2 )若采用集中式刷新,则对该存储芯片刷新一遍所需要的时间是 ______ ,死时间率是 ______ 。
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