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【多选题】
When talking about horrible experiences, we often need to express our fears. When you are asking about horrible experiences, you'll probablly say _________.
A.
How did you feel?
B.
Were you afraid/scared/terrified of...?
C.
How did you react?
D.
What was your reaction?
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参考答案：
举一反三
【单选题】第七章课后选择题第3题
A.
B.
C.
D.
D
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【单选题】670 容积型制冷压缩机按其压缩部件的运动特点可分为两种形式( ) 气体的压力。
A.
往复活塞式和回转式
B.
离心式和涡旋式
C.
离心式和往复活塞式
D.
单螺杆式和离心式
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【多选题】地籍编号的原则包括(              )。
A.
多样性
B.
适应性
C.
统一性
D.
实用性
E.
可更新性
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【简答题】装饰材料的选用要满足 、 、 和 等原则。
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【多选题】地籍编号的原则包括( )。
A.
适应性
B.
多样性
C.
统一性
D.
实用性
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【单选题】不仅对癫痫大发作和小发作治疗无效，且可能诱发癫痫的药物是
A.
苯妥英钠
B.
水合氯醛
C.
地西泮
D.
氯丙嗪
E.
戊巴比妥
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【多选题】下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS = 0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是( )。 和
A.
左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B.
右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C.
刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D.
UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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【多选题】地籍编号的原则包括（）。
A.
适应性
B.
多样性
C.
统一性
D.
实用性
E.
可更新性
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【简答题】第七章课后填空题第3题
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【多选题】下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS=0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（）。【图片】和【图片】
A.
左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B.
右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C.
刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D.
UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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A.
往复活塞式和回转式
B.
离心式和涡旋式
C.
离心式和往复活塞式
D.
单螺杆式和离心式
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【多选题】地籍编号的原则包括(              )。
A.
多样性
B.
适应性
C.
统一性
D.
实用性
E.
可更新性
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A.
适应性
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多样性
C.
统一性
D.
实用性
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A.
苯妥英钠
B.
水合氯醛
C.
地西泮
D.
氯丙嗪
E.
戊巴比妥
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【多选题】下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS = 0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是( )。 和
A.
左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B.
右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C.
刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D.
UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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A.
适应性
B.
多样性
C.
统一性
D.
实用性
E.
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【简答题】第七章课后填空题第3题
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【多选题】下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS=0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（）。【图片】和【图片】
A.
左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
B.
右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。
C.
刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。
D.
UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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