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【多选题】
药品分区分类管理的具体要求是( )
A.
药品与非药品应分开存放
B.
一般药与性能相互影响及易串味的药品分库存放
C.
品名和外包装容易混淆的品种分开存放
D.
处方药和非处方药之间应分开存放
E.
不合格药品应存放在不合格库内
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参考答案：
举一反三
【单选题】下列哪项不是脑血栓形成的原因（）
A.
高血压
B.
高脂血症
C.
先天性血管畸形
D.
脑动脉粥样硬化
E.
血液黏稠度增加
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【多选题】计算n期预付年金终值时,应用下列公式( )。
A.
A(P/A,i,n)(1+i)
B.
A(F/A,i,n)(1+i)
C.
A(P/F,i,n)(1+i)
D.
A[(F/A,i,n+1 )-1]
查看完整题目与答案
【单选题】在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
A.
正离子数
B.
负离子数
C.
质子
D.
原子
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【判断题】抑制载波的双边带幅度调制缺点是滤波器实现困难
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列用于二、三度房窒传导阻滞的药物是
A.
去甲肾上腺素
B.
肾上腺素
C.
多巴胺
D.
异丙肾上腺素
E.
麻黄碱
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【判断题】n型半导体的载流子量空穴
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列哪项不是引起肺性脑病的原因
A.
缺氧
B.
脑内微血栓形成
C.
氮质血症
D.
酸中毒
E.
高碳酸血症
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【判断题】在硅或锗本征半导体中，掺入适量的五价元素（如磷），形成以电子为多数载流子的电子型半导体，即N型半导体；若掺入适量的三价元素（如硼），形成以空穴为多数载流子的空穴型半导体，即P型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】在本征半导体中加入微量的5价元素,就得到N型半导体,内部载流子数量大大增加,且多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】( )一般壳体件螺纹的修复方法有修理尺寸法和镶螺塞法两种。
A.
正确
B.
错误
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A.
高血压
B.
高脂血症
C.
先天性血管畸形
D.
脑动脉粥样硬化
E.
血液黏稠度增加
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【多选题】计算n期预付年金终值时,应用下列公式( )。
A.
A(P/A,i,n)(1+i)
B.
A(F/A,i,n)(1+i)
C.
A(P/F,i,n)(1+i)
D.
A[(F/A,i,n+1 )-1]
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【单选题】在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
A.
正离子数
B.
负离子数
C.
质子
D.
原子
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【判断题】抑制载波的双边带幅度调制缺点是滤波器实现困难
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列用于二、三度房窒传导阻滞的药物是
A.
去甲肾上腺素
B.
肾上腺素
C.
多巴胺
D.
异丙肾上腺素
E.
麻黄碱
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【判断题】n型半导体的载流子量空穴
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列哪项不是引起肺性脑病的原因
A.
缺氧
B.
脑内微血栓形成
C.
氮质血症
D.
酸中毒
E.
高碳酸血症
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【判断题】在硅或锗本征半导体中，掺入适量的五价元素（如磷），形成以电子为多数载流子的电子型半导体，即N型半导体；若掺入适量的三价元素（如硼），形成以空穴为多数载流子的空穴型半导体，即P型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】在本征半导体中加入微量的5价元素,就得到N型半导体,内部载流子数量大大增加,且多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】( )一般壳体件螺纹的修复方法有修理尺寸法和镶螺塞法两种。
A.
正确
B.
错误
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