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【单选题】
清除工作台面或机床上的铁屑,必须使用( )。
A.
用冷却液冲洗
B.
用嘴大力吹
C.
工具清扫
D.
戴上手套，用手清理
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参考答案：
举一反三
【单选题】慢性肾小球肾炎晚期肾小球最主要的变化是
A.
肾小球纤维化、玻璃样变
B.
肾小球内细胞增生，肾小球体积增大
C.
毛细血管内皮细胞增生
D.
肾小囊壁层上皮细胞增生
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【单选题】1998年首次提出“创意产业”概念的《创意产业路径文件》是由哪个国家提出的
A.
美国
B.
日本
C.
英国
D.
法国
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【简答题】Buck 电路如下图所示,设输入电压为 100V ,电感 L 是 200 μ H ,电容C无穷大,输出接R=10欧姆的电阻,电路工作频率 100kHz , MOSFET 的导通占空比为 0.4 ,求: ( 1 )输出直流电压 ( )V ,输出直流电流 ( )A ; ( 2 )流过 MOSFET 的峰值电流( )A; ( 3 )如要将 MOSFET 的峰值电流增加为输出直流电流的 150% ,...
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【单选题】肺下界移动范围是
A.
2-4cm
B.
3-4cm
C.
4-6cm
D.
5-6cm
E.
6-8cm
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【单选题】慢性肾小球肾炎晚期肾小球最主要的变化是
A.
肾小球纤维化、玻璃样变
B.
肾小球内细胞增生，肾小球体积增大
C.
入球小动脉玻璃样变
D.
毛细血管内皮细胞增生
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【单选题】病人出现右肺大面积纤维化，其右侧肺下界移动范围会出现
A.
肺下界移动范围缩小
B.
肺下界移动范围增大
C.
D.
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【单选题】依法免征个人所得税的收入有 ( )
A.
甲参加某省电视台有奖竞猜节目获奖金 1万元
B.
乙购买凭证式国债，获得利息 4500元
C.
丙所在单位发放的购房补贴，每月 500元
D.
丁购买福利彩票中奖，获得奖金 2万元
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【单选题】《英国创意产业路径文件》于( )首次正式提出了“创意产业”的概念。
A.
1996年
B.
1898年
C.
1998年
D.
2000年
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【简答题】判断 下 图所示电路中的 MOSFET 分别工作在什么区域?图( a )工作在( ),图( b )工作在( )。
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【单选题】下图所示电路中,若已知P沟道增强型MOSFET的V GS(th) =-1.5V,K p =μ p C ox W/(2L)= 80μA/V 2 ,沟道长度调制效应忽略不计,其他电路参数如图中所示。则可求出I DQ 、V GSQ 、g m 、r ds 的值分别约为( )。
A.
0.37 mA,3.63V,0.34mS,∞;
B.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,10kΩ;
C.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,∞;
D.
0.37 mA, 3.63V,-0.34mS,10kΩ。
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C.
毛细血管内皮细胞增生
D.
肾小囊壁层上皮细胞增生
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【单选题】1998年首次提出“创意产业”概念的《创意产业路径文件》是由哪个国家提出的
A.
美国
B.
日本
C.
英国
D.
法国
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【简答题】Buck 电路如下图所示,设输入电压为 100V ,电感 L 是 200 μ H ,电容C无穷大,输出接R=10欧姆的电阻,电路工作频率 100kHz , MOSFET 的导通占空比为 0.4 ,求: ( 1 )输出直流电压 ( )V ,输出直流电流 ( )A ; ( 2 )流过 MOSFET 的峰值电流( )A; ( 3 )如要将 MOSFET 的峰值电流增加为输出直流电流的 150% ,...
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A.
2-4cm
B.
3-4cm
C.
4-6cm
D.
5-6cm
E.
6-8cm
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A.
肾小球纤维化、玻璃样变
B.
肾小球内细胞增生，肾小球体积增大
C.
入球小动脉玻璃样变
D.
毛细血管内皮细胞增生
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A.
肺下界移动范围缩小
B.
肺下界移动范围增大
C.
D.
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A.
甲参加某省电视台有奖竞猜节目获奖金 1万元
B.
乙购买凭证式国债，获得利息 4500元
C.
丙所在单位发放的购房补贴，每月 500元
D.
丁购买福利彩票中奖，获得奖金 2万元
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【单选题】《英国创意产业路径文件》于( )首次正式提出了“创意产业”的概念。
A.
1996年
B.
1898年
C.
1998年
D.
2000年
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【简答题】判断 下 图所示电路中的 MOSFET 分别工作在什么区域?图( a )工作在( ),图( b )工作在( )。
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【单选题】下图所示电路中,若已知P沟道增强型MOSFET的V GS(th) =-1.5V,K p =μ p C ox W/(2L)= 80μA/V 2 ,沟道长度调制效应忽略不计,其他电路参数如图中所示。则可求出I DQ 、V GSQ 、g m 、r ds 的值分别约为( )。
A.
0.37 mA,3.63V,0.34mS,∞;
B.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,10kΩ;
C.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,∞;
D.
0.37 mA, 3.63V,-0.34mS,10kΩ。
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