杂质半导体中的多数载流子主要是由________产生的,它的浓度主要取决于_______;P型半导体中掺入_________价元素,多数载流子为_________,PN结具有____________性。 二极管在反向电压作用下,会发生_____________和_____________击穿现象。 杂质半导体中的多数载流子主要是由_____________产生的,它的浓度主要取决于_____________;而少数载流子是由_____________产生的,它的浓度主要取决于_____________。