单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450~500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。 相关信息如下：①四氯化硅遇水解； ②硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；③有关物质的物理常数见下表 请回答下列问题： （1）写出装置A中发生反应的离子方程式____________________。 （2）装置A中g管的作用是____________________；装置C中的试剂是____________________；装置E中的h瓶需要冷却的理由是____________________。 （3）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是__________（填写元素符号）。 （4）为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe 2+ ，再用KMnO 4 标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定，反应的离子方程式是：5Fe 2+ ＋MnO 4 - ＋8H + ==5Fe 3+ ＋Mn 2+ ＋4H 2 O ①滴定前是否要滴加指示剂？____（填“是”或“否”），请说明理由____________________。 ②某同学称取5.000g残留物后，经预处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液，移取25.00 mL试样溶液，用1.000×10 -2 mol/L KMnO 4 标准溶液滴定。达到滴定终点时，消耗标准溶液20.00 mL，则残留物中铁元素的质量分数是_____________。