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【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )。
A.
30
B.
18
C.
24
D.
22
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【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为___。
A.
22
B.
13
C.
26
D.
17
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【单选题】字位结构为256Kｘ4位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为
A.
18
B.
22
C.
24
D.
30
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【单选题】字位结构为 1M × 4 位的 DRAM 存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )
A.
28
B.
14
C.
24
D.
12
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【简答题】字位结构为256Kｘ8位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为
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【单选题】字位结构为256K x 4位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为( )。
A.
22
B.
24
C.
30
D.
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【单选题】字位结构为1M×4位DRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为（）。
A.
14
B.
12
C.
24
D.
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【简答题】热电偶的原理基于( )
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【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )
A.
24
B.
18
C.
22
D.
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【单选题】热电偶的原理是基于( ) 的。
A.
电流热效应
B.
热电效应
C.
电热效应
D.
电磁感应
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相关题目：
【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )。
A.
30
B.
18
C.
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D.
22
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【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为___。
A.
22
B.
13
C.
26
D.
17
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【单选题】字位结构为256Kｘ4位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为
A.
18
B.
22
C.
24
D.
30
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【单选题】字位结构为 1M × 4 位的 DRAM 存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )
A.
28
B.
14
C.
24
D.
12
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【简答题】字位结构为256Kｘ8位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为
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【单选题】字位结构为256K x 4位SRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为( )。
A.
22
B.
24
C.
30
D.
18
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【单选题】字位结构为1M×4位DRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为（）。
A.
14
B.
12
C.
24
D.
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【简答题】热电偶的原理基于( )
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【单选题】字位结构为256Kx4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )
A.
24
B.
18
C.
22
D.
30
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【单选题】热电偶的原理是基于( ) 的。
A.
电流热效应
B.
热电效应
C.
电热效应
D.
电磁感应
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