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【简答题】
配合基准制分为( )制和( )制
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参考答案:
举一反三
【判断题】N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。
A.
正确
B.
错误
【单选题】若想通过单击并拖动鼠标来移动视图,使用( )即可。
A.
挑选工具
B.
形状工具
C.
手形工具
D.
贝塞尔工具
【简答题】N型半导体中自由电子是多数载流子,主要由 提供;空穴是少数载流子,由 形成。自由电子浓度n=少子空穴浓度p+施主原子的浓度 ,离子化的施主原子和空穴的正电荷比为自由电子的负电荷所平衡,以保持材料的电中性。
【判断题】N 型半导体中多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴。
A.
正确
B.
错误
【简答题】I, Evelyn's, bedside, to, got, to, say, good-bye _______
【判断题】( )数码照相机可以随时提高感光度,但是选择高感拍摄时,亮部的噪点明显增加。
A.
正确
B.
错误
【简答题】岩溶发育的基本条件有: ;可溶性岩石具有透水性;存在具有一定溶解能力的水;水在可溶性岩石中是不断流动的。
【判断题】数码照相机可以随时提高感光度,但是选择高感拍摄时,亮部的噪点明显增加。
A.
正确
B.
错误
【单选题】喀斯特地貌发育的最基本条件是
A.
岩石有风化裂隙
B.
岩石中含有化石
C.
岩石具有层理构造
D.
岩石具有可溶性
【单选题】岩溶发育的基本条件是:
A.
具有可溶性的岩石
B.
可溶岩具有透水性
C.
具有溶蚀能力的水
D.
循环交替的水源
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