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【单选题】
a、b、c、d四种分子均含有14个电子,其有关信息列在下面的表中 a b c d 双原子分子 非极性分子 只含非极性键 双原子分子 极性分子 只含极性键 多原子分子 极性分子 只含极性键 多原子分子 非极性分子 既有非极性键,又有极性键 符合题目给出的信息的选项是 ( ) 1a的化学式N 2 2b的化学式为CO 3c的结构式为H—C≡N 4d的结构HC≡CH 5a的符号为C 2 2- 6d的化学式为H 2 O 2
A.
①②③④
B.
④⑤⑥
C.
②③⑤⑥
D.
①②③④⑤⑥
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参考答案：
举一反三
【判断题】半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】请列举物理因素所导致的职业病。
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【简答题】求一个四位数的各位数字的立方和。 函数fun返回求出的和值。 例如:1234的各位数字的立方和为:1^3+2^3+3^3+4^3=100, fun 函数应当返回100。 输入:1234 输出:k=100 注意:部分源程序给出如下。 请勿改动main函数和其他函数中的任何内容,仅在函数fun的花括号中填入所编写的若干语句。 #include int fun(int n) { /**********...
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【单选题】E-R图中的主要元素是
A.
结点、记录和文件
B.
实体、联系和属性
C.
记录、文件和表
D.
记录、表和属性
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【判断题】半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】(单项选择题)中国最大、世界第二大流动沙漠是()沙漠。
A.
塔克拉玛干
B.
古尔班通古特
C.
腾格里
D.
巴丹吉林
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【单选题】半导体中的空穴是( )。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
D.
外部注入
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【判断题】(1) 半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【简答题】请编写两个函数int sum_of_powers(int k，int n)，powers(int m，int n)，求1～6的k次方的和,sum_of_powers中参数k和n分别表示k次方和所求数列中最大的一个自然数，最后返回所求值，powers中参数m和n分别表示m为底数n为指数，最后返回所求值。要求使用for循环和函数嵌套(int sum_of_powers中调用powers)实现算法。输出...
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【判断题】判断题:半导体中的空穴是:半导体中的晶格缺陷形成的。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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【简答题】求一个四位数的各位数字的立方和。 函数fun返回求出的和值。 例如:1234的各位数字的立方和为:1^3+2^3+3^3+4^3=100, fun 函数应当返回100。 输入:1234 输出:k=100 注意:部分源程序给出如下。 请勿改动main函数和其他函数中的任何内容,仅在函数fun的花括号中填入所编写的若干语句。 #include int fun(int n) { /**********...
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【单选题】E-R图中的主要元素是
A.
结点、记录和文件
B.
实体、联系和属性
C.
记录、文件和表
D.
记录、表和属性
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【判断题】半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】(单项选择题)中国最大、世界第二大流动沙漠是()沙漠。
A.
塔克拉玛干
B.
古尔班通古特
C.
腾格里
D.
巴丹吉林
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【单选题】半导体中的空穴是( )。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
D.
外部注入
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【判断题】(1) 半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【简答题】请编写两个函数int sum_of_powers(int k，int n)，powers(int m，int n)，求1～6的k次方的和,sum_of_powers中参数k和n分别表示k次方和所求数列中最大的一个自然数，最后返回所求值，powers中参数m和n分别表示m为底数n为指数，最后返回所求值。要求使用for循环和函数嵌套(int sum_of_powers中调用powers)实现算法。输出...
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【判断题】判断题:半导体中的空穴是:半导体中的晶格缺陷形成的。
A.
正确
B.
错误
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