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【单选题】
不符合药物代谢中的结合反应特点的是
A.
在酶的催化作用下进行
B.
无需酶的催化即可进行
C.
形成水溶性代谢物,有利于排泄
D.
形成共价键的过程
E.
形成极性更大的化合物
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参考答案:
举一反三
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是(   )
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶的活性中心相结合
C.
抑制剂与酶的活性中心相结合,导致酶分子变构
D.
抑制剂与辅酶结合,妨碍全酶形成
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是()
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶的活性中心结合
C.
抑制剂与酶活性中心外的必需基团结合
D.
抑制剂使二硫键还原,破坏酶的空间构象
E.
抑制剂与辅酶结合,抑制全酶的组装
【判断题】MOSFET的栅极电流ig≈0,控制信号是VGS
A.
正确
B.
错误
【简答题】如果N沟道增强型MOSFET的VGS>VT,则VGD 转移特性曲线ig和VGS之间的关系 MOSFET的栅极电流ig≈0,控制信号是VGS VGS
【单选题】崩解时限测定时除另有规定外,需取供试品( )片
A.
5
B.
6
C.
7
D.
10
E.
20
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是( )
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶的活性中心结合
C.
抑制剂与辅酶结合,妨碍全酶的形成
D.
抑制剂与酶的活性中心外的必需基团结合
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是:
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶的活性中心结合
C.
抑制剂与酶的必需基团结合,导致酶分子变构
D.
抑制剂与辅酶结合,妨碍全酶的形成
E.
抑制剂使二硫键还原,引起酶的空间构象紊乱
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是:
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶的活性中心结合
C.
抑制剂与酶活性中心外的必需基团结合
D.
抑制剂使二硫键还原,引起酶的空间构象紊乱
E.
抑制剂与辅酶结合,妨碍全酶的形成
【单选题】符合竞争性抑制作用的说法是( )
A.
抑制剂与底物结合
B.
抑制剂与酶结合,抑制全酶的空间构象
C.
抑制剂与酶的活性中心以外的必需基团结合
D.
抑制剂与酶的活性中心结合
【判断题】竖曲线设计高程计算公式中,凹形竖曲线取 “ + ” ,凸形竖曲线取 “ - ” 。
A.
正确
B.
错误
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