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【单选题】
已知函数 ,下列说法正确的是
A.
函数有2个无穷间断点
B.
函数有1个可去间断点,1个无穷间断点
C.
函数有2个第一类间断点
D.
函数有1个可去间断点,1个无穷间断点,1个跳跃间断点
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参考答案：
举一反三
【单选题】西服整烫领子驳口线时，要将领驳线（）。
A.
归拢
B.
拔开
C.
烫直
D.
烫弯
查看完整题目与答案
【单选题】在铸件上攻丝时,其底孔直径计算公式为 ( ) 。
A.
D 底= D -( 1.05 - 1.1 ) P
B.
D 底= D - P
C.
D 底= D - 1.2P
D.
D 底= D - 1.5P
查看完整题目与答案
【多选题】通常把常温层以下，深度每增加100m时所升高的温度值称为 [填空(1)] ，用℃表示；温度每升高1℃所增加的深度值称为 [填空(2)] ，用m表示
A.
地温梯度
B.
地温级度
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【单选题】在铸件上攻丝时，其底孔直径计算公式为（ ）
A.
D底孔=D-（1.05～1.1）P
B.
D底孔=D-P
C.
D底孔=D-1.2P
D.
D底孔=D-1.5P
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【简答题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为( ),用°C /100m 表示;
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【单选题】常温层下，深度每增加100m所升高的温度，称为( )。
A.
地温温度
B.
地温梯度
C.
地热增温级
D.
地热增温梯度
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【单选题】下面的说法正确的是 。
A.
耗尽型 N 沟道 MOSFET 的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。
B.
增强型 MOS 管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
C.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
D.
MOSFET 放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用 。
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【判断题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为地温梯度或地热增温率,用°C /100m 表示
A.
正确
B.
错误
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【单选题】常温层下,深度每增加 100m 所升高的温度,称为 ( ) 。
A.
地温温度
B.
地温梯度
C.
地热增温级
D.
地温深度
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【简答题】常温层下，深度每增加100m所升高的温度，称为（ ）。
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A.
归拢
B.
拔开
C.
烫直
D.
烫弯
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【单选题】在铸件上攻丝时,其底孔直径计算公式为 ( ) 。
A.
D 底= D -( 1.05 - 1.1 ) P
B.
D 底= D - P
C.
D 底= D - 1.2P
D.
D 底= D - 1.5P
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【多选题】通常把常温层以下，深度每增加100m时所升高的温度值称为 [填空(1)] ，用℃表示；温度每升高1℃所增加的深度值称为 [填空(2)] ，用m表示
A.
地温梯度
B.
地温级度
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【单选题】在铸件上攻丝时，其底孔直径计算公式为（ ）
A.
D底孔=D-（1.05～1.1）P
B.
D底孔=D-P
C.
D底孔=D-1.2P
D.
D底孔=D-1.5P
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【简答题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为( ),用°C /100m 表示;
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【单选题】常温层下，深度每增加100m所升高的温度，称为( )。
A.
地温温度
B.
地温梯度
C.
地热增温级
D.
地热增温梯度
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【单选题】下面的说法正确的是 。
A.
耗尽型 N 沟道 MOSFET 的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。
B.
增强型 MOS 管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
C.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
D.
MOSFET 放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用 。
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【判断题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为地温梯度或地热增温率,用°C /100m 表示
A.
正确
B.
错误
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【单选题】常温层下,深度每增加 100m 所升高的温度,称为 ( ) 。
A.
地温温度
B.
地温梯度
C.
地热增温级
D.
地温深度
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【简答题】常温层下，深度每增加100m所升高的温度，称为（ ）。
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