【多选题】以下关于作为本国优先权基础的在先申请和要求本国优先权的后一申请的说法哪些是正确的
A.
在先申请可以是发明或者实用新型专利申请的分案申请
B.
在先申请的主题不应享有本国优先权,但可以享有外国优先权
C.
在先申请的主题应当尚未授予专利权,即尚未办理专利权登记手续
D.
后一申请应当自在先申请的申请日起12个月内提出
【单选题】虚拟存储技术是(1),虚拟内存的容量只受计算机地址位数的限制,若某处理器有32位地址,则它的虚拟内存空间最大为(2)。空白(1)处应选择()
【单选题】以下关于作为本国优先权基础的在先申请和要求本国优先权的后一申请的哪些说法是正确的?(2004年试卷三第68题)
A.
在先申请可以是发明或者实用新型专利申请的分案申请
B.
在先申请的主题不应享有本国优先权,但可以享有外国优先权
C.
在先申请的主题应当尚未授予专利权,即尚未办理专利权登记手续
D.
后一申请应当自在先申请的申请日12个月内提出
【单选题】线性电阻元件是耗能元件,电阻 R 通电后吸收的电功率为()。
【多选题】关于本国优先权,下列哪些说法是正确的?
A.
发明专利申请要求本国优先权的,在先申请既可以是发明专利申请也可以是实用新型专利申请
B.
在后申请的申请人与在先申请中记载的申请人应当一致,不一致的应当在规定期限内提交优先权转让证明
C.
已经授予专利权但尚处于优先权期限内的申请可以作为在后申请的本国优先权基础
D.
因未缴纳申请费被视为撤回但尚处于优先权期限内的申请可以作为在后申请的本国优先权基础
【单选题】虚拟存储技术是(1),虚拟内存的容量只受计算机地址位数的限制,若某处理器有32位地址,则它的虚拟内存空间最大为(2)。空白(2)处应选择()
【多选题】以下关于作为本国优先权基础的在先申请和要求本国优先权的后一申请的哪些说法是正确的
A.
在先申请可以是发明或者实用新型专利申请的分案申请
B.
在先申请的主题不应享有本国优先权,但可以享有外国优先权
C.
在先申请的主题应当尚未授予专利权,即尚未办理专利权登记手续
D.
后一申请应当自在先申请的申请日12个月内提出
【简答题】下列物质中水解并能放出H 2 的是 (A) B 2 H 6 ; (B) N 2 H 4 ; (C) NH 3 ; (D) PH 3 。
【单选题】线性电阻元件是耗能元件,电阻R通电后吸收的电功率为()