【单选题】在铸件上攻丝时,其底孔直径计算公式为 ( ) 。
A.
D 底= D -( 1.05 - 1.1 ) P
【多选题】通常把常温层以下,深度每增加100m时所升高的温度值称为 [填空(1)] ,用℃表示;温度每升高1℃所增加的深度值称为 [填空(2)] ,用m表示
【单选题】在铸件上攻丝时,其底孔直径计算公式为( )
【简答题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为( ),用°C /100m 表示;
【简答题】常温层以下,深度每增加100m时,所升高的温度值称为()或(),用℃表示。
【单选题】常温层下,深度每增加100m所升高的温度,称为( )。
【单选题】下面的说法正确的是 。
A.
耗尽型 N 沟道 MOSFET 的栅源电压可正可负,也可以为零,都能保证器件工作于放大区。
B.
增强型 MOS 管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
D.
MOSFET 放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用 。
【判断题】把常温层以下,深度每增加 100m 时所升高的温度值称为地温梯度或地热增温率,用°C /100m 表示
【单选题】常温层下,深度每增加 100m 所升高的温度,称为 ( ) 。
【简答题】常温层下,深度每增加100m所升高的温度,称为( )。