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【单选题】
下列化合物可制成油溶性注射剂的是
A.
二氢青蒿素甲醚
B.
青蒿琥珀脂钠
C.
青蒿素
D.
穿心莲内脂磺酸钠
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参考答案:
举一反三
【多选题】电源电涌保护器的保护模式应符合()规定
A.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法
B.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中
C.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性
D.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有
E.
在IT接地方式下当中性线N未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD
F.
在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD
【单选题】1980年2月由IEEE组织制定的局域网标准是?
A.
IP协议
B.
802协议族
C.
801协议族
D.
互联网协议
【单选题】电控发动机怠速不稳的原因是( )。
A.
喷油器不工作
B.
燃油泵不工作
C.
节气门积碳过多
D.
曲轴位置传感器失效
【单选题】中央电视台总部大楼(大裤衩)在建造完成后支付给设计方大都会建筑事务所高达3.5亿的设计费用,那你知道平均每平方米的设计费是多少吗
A.
630元
B.
123元
C.
430元
D.
332元
【单选题】802 协议族是( )制定的。
A.
OSI
B.
EIA
C.
IEEE
D.
ANSI
【多选题】电源电涌保护器的保护模式应符合()规定:
A.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。
B.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。
C.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时,入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。
D.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时,入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。
E.
在IT接地方式下当中性线N未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD。
F.
在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD。
【单选题】电控发动机怠速不稳的原因是()。
A.
节气门位置传感器失效
B.
曲轴位置传感器失效
C.
点火正时失准
D.
氧传感器失效
【简答题】油脂在自氧化过程中有何产物?
【多选题】电气石的鉴定特征有哪些?()
A.
晶体呈三方柱、六方柱
B.
硬度较大
C.
多色性强
D.
无解理
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A.
节气门位置传感器失效
B.
曲轴位置传感器失效
C.
点火正时失效
D.
氧传感器失效
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B.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中
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在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性
D.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有
E.
在IT接地方式下当中性线N未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD
F.
在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD
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A.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。
B.
TN接地方式下,电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。
C.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时,入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。
D.
在TT接地方式下的电涌保护器,当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时,金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器(RCD.之负载侧,采取对地保护模式,接于各相线和中线与地之间,也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时,入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。
E.
在IT接地方式下当中性线N未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD。
F.
在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时,SPD仅在各相与地之间接入;当中性线N配出时,在中性线与地之间也应接入SPD。
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