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【多选题】
在元素周期表中,有 30 种元素用于智能手机制造,其中有 17 种属于地球稀有元素。铟是用于制造手机和电脑触摸屏的主要元素之一,资源已经严重短缺。下列关于铟的说法正确的是( )
A.
原子序数为 49
B.
与锗同族
C.
氧化物具有两性
D.
常见化合价为+3
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参考答案:
举一反三
【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是 ( )
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下,______叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】M0S型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的芯片组成。
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【单选题】绘制纵断面图( )横纵轴比例不同。
A.
可以
B.
不可以
C.
有时候可以有时候不可以
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,( )叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,叙述错误的是______。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】下图是四片 2KB 存储器芯片的连线图。确定 16 条地址线对应 AT89S51 单片机的 I/O 接口,并写出 I 、 II 、 III 、 IV 四片存储器芯片地址范围。
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【单选题】在下列牌号中属于 碳素 工具钢的 是 ( )。
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
D.
Q235
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是()。
A.
P0口和P2
B.
P0口
C.
P1口和P3口
D.
P2口
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是( )。
A.
P0和P2
B.
P0
C.
P1和P3
D.
P2
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相关题目:
【单选题】下列牌号中,属于碳素工具钢的是 ( )
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下,______叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】M0S型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的芯片组成。
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【单选题】绘制纵断面图( )横纵轴比例不同。
A.
可以
B.
不可以
C.
有时候可以有时候不可以
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,( )叙述是错误的。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【单选题】下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,叙述错误的是______。
A.
Ⅰ和Ⅱ
B.
Ⅱ和Ⅲ
C.
Ⅲ和Ⅳ
D.
Ⅰ和Ⅳ
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【简答题】下图是四片 2KB 存储器芯片的连线图。确定 16 条地址线对应 AT89S51 单片机的 I/O 接口,并写出 I 、 II 、 III 、 IV 四片存储器芯片地址范围。
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【单选题】在下列牌号中属于 碳素 工具钢的 是 ( )。
A.
20
B.
65Mn
C.
T10A
D.
Q235
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是()。
A.
P0口和P2
B.
P0口
C.
P1口和P3口
D.
P2口
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【单选题】AT89S51单片机外扩存储器芯片时,4个I/O口中用作地址总线的是( )。
A.
P0和P2
B.
P0
C.
P1和P3
D.
P2
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