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【单选题】
真核生物DNA复制中,DNA要分别进行后随链和前导链的合成,催化核内前导链合成的酶是A.
DNA Pol δ
B.
DNA Pol α
C.
DNA Pol γ
D.
DNA Pol β
E.
DNA Pol ε
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举一反三
【简答题】N沟道MOSFET饱和漏源电压 的表达式是 。当 时,MOSFET进入( )区,漏极电流随 的增加而( )。
【多选题】中国古代著名史学家司马迁惨遭宫刑之祸，蒙受莫大的不幸，但他苦而不悲，孤而不堕，。这个材料告诉我们正确的道理是()
A.
正确对待实现理想过程中的逆境
B.
逆境可以磨炼意志、陶冶品格
C.
树立必胜的信念，坚持科学的态度，克服困难，逆境反而能使人的潜能最大限度的地迸发出来，创造出奇迹，实现理想
D.
逆境是实现理想的必要条件
【简答题】当N沟道MOSFET的 时,MOSFET( )导电,这称为( )导电(选择填空:也能,不能,亚阈区,饱和区)。
【单选题】关于子宫脱垂正确的说法是（ ）。
A.
子宫外口在坐骨棘水平以下
B.
子宫内口在坐骨棘水平以下
C.
子宫内口在坐骨棘水平以上
D.
子宫外口在坐骨棘水平以上
E.
以上都不正确
【简答题】通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（ ）方向调整。
【多选题】中国古代著名史学家司马迁惨遭宫刑之祸,蒙受莫大的不幸,但他苦而不悲,孤而不堕,材料告诉我们正确的道理是()。
A.
正确对待实现理想过程中的逆境
B.
逆境可以磨炼意志、陶冶品格
C.
树立必胜的信念,坚持科学的态度,克服困难,逆境反而能使人的潜能最大限度的地迸发出来,创造出奇迹,实现理想
D.
逆境是实现理想的必要条件
【单选题】关于子宫脱垂正确的说法是( )
A.
子宫颈外口在坐骨棘水平以下
B.
子宫颈内口在坐骨棘水平以下
C.
子宫颈内口在坐骨棘水平以上
D.
子宫颈外口在坐骨棘水平以上
E.
以上都不正确
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