实验三习题 1、 反直流工作点仿真 1) 偏置电压设置: Vin=1V ; Vdd=2V ; 2) NMOS 沟道尺寸设置: Wnmos= ; Lnmos= ; 3) PMOS 沟道尺寸设置:设置 PMOS 的叉指数为 3 ,每个叉指的宽度为变量 wf ;这样 Wpmos=3*wf ;设置 wf=Wnmos ; Lpmos= ; 4) 直流工作点仿真结果: Ids= ; Vout= ; NMOS 工作在 工作区域; PMOS 工作在 工作区域;该反的功耗为 ; 2 、反直流工作点扫描设置 1) 偏置电压设置: Vin=1V ; Vdd=2V ; 2) 在直流仿真下设置 Wnmos= ; Lnmos= ;扫描参数为 PMOS 的叉指宽度 wf ,扫描范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 wf 为横坐标、 Vout 为纵坐标的波形曲线;观察 wf 对 Vout 的影响; 3) 在上述步骤的基础上,记录输出电压 Vout=1V 时对应的 PMOS 的叉指宽度 wf= ; 3 、扫描反的直流电压转移特性 1) 在上述步骤的基础上,记录 Ids= ;该反的功耗 Pdc= ; 2) 扫描参数为 Vin ,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Vin 为横坐标、 Vout 为纵坐标的波形曲线;观察 Vin 对 Vout 的转移特性;结合理论分析在转移特性曲线上标出 A 、 B 、 C 、 D 、 E 五个工作区域; 3) 扫描参数为 Vin ,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Vin 为横坐标、 Ids 为纵坐标的波形曲线;观察 Vin 对 Ids 的转移特性;结合理论分析反的静态功耗和动态功耗; 4 、仿真反的瞬态特性 1) 为反设置负载电容为 ; 2) 设置 Vin 为 Vpluse 信号源,高电平为 ;低电平为 ; Rise time= ; Fall time= ;周期为 ; 3) 设置瞬态仿真 stop time= ; step= ; maxstep= ; 观察仿真结果,该反的传输延迟 = ;