【多选题】填入 电力 MOSFET 的缺点。 器件 优点 缺点 IGBT 开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力 MOSFET ,电压、电流容量不及 GTO GTR 电流大,通流能力强,饱和电压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制...
A.
开关速度低于电力 MOSFET ,电压、电流容量不及 GTO
D.
主要技术难点集中于同一芯片上高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效处理