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【判断题】
HIV在离体的情况下,抵抗力很弱,很快就失去了活性和感染力,日常生活和工作接触不会传播。()
A.
正确
B.
错误
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参考答案：
举一反三
【单选题】数控机床控制介 质 是指( )
A.
零件 图 祥和加工程序 单
B.
交流电
C.
穿孔 带 、磁 盘 和磁 带 、网 络
D.
光电阅读机
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【单选题】数控机床控制介质是指( )
A.
零件图和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁盘和磁带、网络
D.
光电阅读机
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【判断题】名义利率低于通货膨胀率时,实际利率为正利率。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】当名义利率高于通货膨胀率时,实际利率为负利率.当名义利率低于通货膨胀率时,实际利率为正利率.
A.
正确
B.
错误
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【单选题】数控机床控制介质是指: 。
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
U盘、穿孔带、磁盘和磁带、网络
D.
光电阅读机
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【多选题】实际利率与名义利率相比较，出现的情形有( )。
A.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为正利率
B.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为负利率
C.
名义利率等于通货膨胀率时，实际利率为零
D.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为正利率
E.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为负利率
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【多选题】根据名义利率与实际利率的比较，实际利率呈现三种情况：(    )。
A.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为正利率
B.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为负利率
C.
名义利率等于通货膨胀率时，实际利率为零
D.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为正利率
E.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为负利率
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【单选题】数控机床控制介质是指:( )
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁盘和磁带等
D.
光电阅读机
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【单选题】数控机床控制介质是指( )。
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁带和磁带网络
D.
光电阅读机
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【单选题】乙酸乙酯制备实验过程中，下列哪种说法是错误的？
A.
加入浓硫酸时，应 在冷水冷却下，边摇边慢慢将浓硫酸加入到乙醇溶液中，防止局部过热。
B.
乙酸乙酯制备反应中，乙醇和乙酸的反应计量关系比是 1:1 ，因此在反应中加入的乙醇和乙酸的量应相等，避免造成试剂浪费。
C.
反应过程中应控制滴液漏斗中反应液的滴加速度，应保持滴加速度和蒸出速度大体一致。
D.
用分液漏斗振荡洗涤有机相时，初期应在振摇两三次时及时进行排气操作，防止分液漏斗内部气压过大而使溶液喷出。
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A.
零件 图 祥和加工程序 单
B.
交流电
C.
穿孔 带 、磁 盘 和磁 带 、网 络
D.
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【单选题】数控机床控制介质是指( )
A.
零件图和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁盘和磁带、网络
D.
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【判断题】名义利率低于通货膨胀率时,实际利率为正利率。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】当名义利率高于通货膨胀率时,实际利率为负利率.当名义利率低于通货膨胀率时,实际利率为正利率.
A.
正确
B.
错误
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【单选题】数控机床控制介质是指: 。
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
U盘、穿孔带、磁盘和磁带、网络
D.
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【多选题】实际利率与名义利率相比较，出现的情形有( )。
A.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为正利率
B.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为负利率
C.
名义利率等于通货膨胀率时，实际利率为零
D.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为正利率
E.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为负利率
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【多选题】根据名义利率与实际利率的比较，实际利率呈现三种情况：(    )。
A.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为正利率
B.
名义利率高于通货膨胀率时，实际利率为负利率
C.
名义利率等于通货膨胀率时，实际利率为零
D.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为正利率
E.
名义利率低于通货膨胀率时，实际利率为负利率
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【单选题】数控机床控制介质是指:( )
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁盘和磁带等
D.
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【单选题】数控机床控制介质是指( )。
A.
零件图样和加工程序单
B.
交流电
C.
穿孔带、磁带和磁带网络
D.
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【单选题】乙酸乙酯制备实验过程中，下列哪种说法是错误的？
A.
加入浓硫酸时，应 在冷水冷却下，边摇边慢慢将浓硫酸加入到乙醇溶液中，防止局部过热。
B.
乙酸乙酯制备反应中，乙醇和乙酸的反应计量关系比是 1:1 ，因此在反应中加入的乙醇和乙酸的量应相等，避免造成试剂浪费。
C.
反应过程中应控制滴液漏斗中反应液的滴加速度，应保持滴加速度和蒸出速度大体一致。
D.
用分液漏斗振荡洗涤有机相时，初期应在振摇两三次时及时进行排气操作，防止分液漏斗内部气压过大而使溶液喷出。
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