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【单选题】
下列删除单元格的方法,正确的是
A.
选中要删除的单元格，按 Del 键
B.
选中要删除的单元格，按剪切按钮
C.
选中要删除的单元格，按 Shift+Del 键
D.
选中要删除的单元格，使用右键菜单中的删除单元格命令
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参考答案：
举一反三
【单选题】动脉穿刺置管术后导管评估内容中,不包括:
A.
穿刺部位有无血肿
B.
穿刺侧远端肢体颜色
C.
穿刺点有无出血
D.
液体出入量
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【判断题】奥氏体的形成过程包括形核和核长大
A.
正确
B.
错误
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【判断题】半导体存储器可分为两大类:RAM和ROM,可以实现在线读写的ROM是EEPROM
A.
正确
B.
错误
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【简答题】半导体存储器可分为两大类: RAM 和 ROM ,可以实现在线读写的 ROM 是( )。
查看完整题目与答案
【简答题】（12分） （1）标准状况下，体积约为11.2 L的NH 3 中约含有 个分子、含有 个质子。 （2）同温同压下，同质量的氨气和硫化氢气体（H 2 S）的体积比为 。同温同压下，若二者氢原子数相等，它们的体积比为 。 （3）在某温度时，一定量的元素A的氢化物AH 3 在一定体积密闭容器中可完全分解成两种气态单质，此时密闭容器中气体分子总的物质的量增加了75%。则A单质的一个分子中有_____个A...
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【多选题】共析钢奥氏体的形成过程包括奥氏体的形核、 、 和 四个阶段。
A.
奥氏体的长大
B.
残余渗碳体的溶解
C.
奥氏体成分的均匀化
D.
奥氏体转变成马氏体
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【判断题】蓄电池在充电时,主要生成硫酸铅和水。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】钢的奥氏体化过程包括奥氏体的形核与长大,残余渗碳体的溶解和奥氏体成分的均匀化。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】半导体存储器可分为两大类：RAM和ROM，可以实现在线读写的ROM是（ ）。
A.
PROM
B.
EPROM
C.
EEPROM
D.
掩膜 ROM
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【多选题】奥氏体的形成过程包括
A.
碳化物的溶解
B.
C和合金元素在A中的均匀化
C.
奥氏体晶核的长大
D.
奥氏体晶粒的长大
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液体出入量
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A.
正确
B.
错误
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【判断题】半导体存储器可分为两大类:RAM和ROM,可以实现在线读写的ROM是EEPROM
A.
正确
B.
错误
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【简答题】（12分） （1）标准状况下，体积约为11.2 L的NH 3 中约含有 个分子、含有 个质子。 （2）同温同压下，同质量的氨气和硫化氢气体（H 2 S）的体积比为 。同温同压下，若二者氢原子数相等，它们的体积比为 。 （3）在某温度时，一定量的元素A的氢化物AH 3 在一定体积密闭容器中可完全分解成两种气态单质，此时密闭容器中气体分子总的物质的量增加了75%。则A单质的一个分子中有_____个A...
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A.
奥氏体的长大
B.
残余渗碳体的溶解
C.
奥氏体成分的均匀化
D.
奥氏体转变成马氏体
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【判断题】蓄电池在充电时,主要生成硫酸铅和水。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】钢的奥氏体化过程包括奥氏体的形核与长大,残余渗碳体的溶解和奥氏体成分的均匀化。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】半导体存储器可分为两大类：RAM和ROM，可以实现在线读写的ROM是（ ）。
A.
PROM
B.
EPROM
C.
EEPROM
D.
掩膜 ROM
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【多选题】奥氏体的形成过程包括
A.
碳化物的溶解
B.
C和合金元素在A中的均匀化
C.
奥氏体晶核的长大
D.
奥氏体晶粒的长大
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